第三代半导体材料电性能测试高压电源具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V...

第三代半导体材料电性能分析高电流脉冲电源具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。 设备可...

武汉普赛斯是国内Z早生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用，市场率高；电流源表微电流测试认...

普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下纳安级测量、1000A脉冲大电流输...

普赛斯仪表推出的大功率LED管LIV测试电源具备CW及QCW输出能力，单设备CW输出电流可高达60A，输出电压可高达100V，可广泛应用于大功率LED的LIV测...

普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代...

普赛斯功率半导体行业测试设备，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静...

普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、S先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，...

GaNHEMT器件性能的评估，一般包含静态参数测试（I-V测试）、频率特性（小信号S参数测试）、功率特性（Load-Pull测试），宽禁带材料测试源表就找普赛斯...

IGBT静态参数主要包含:栅极-发射极阈值电压VGE(th)、栅极-发射极漏电流lGEs、集电极-发射极截止电流lcEs、集电极-发射极饱和电压VcE(sat)...

武汉普赛斯是国内生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用；精密源表+高精度数字源表认准普赛斯...

忆阻器件的评估,一般包括直流特性、脉冲特性与交流特性测试,分析器件在相应的直流、脉冲与交流作用下的忆阻特性,以及针对忆阻器件的保持力、稳定性等非电学特性进行测量...

普赛斯第三代半导体功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代...

普赛斯“五合一"高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数...

大电压台式脉冲源表具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流...

武汉普赛斯一直专注于功率器件、射频器件以及第三代半导体领域电性能测试仪表与系统开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,帅先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源...

普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下纳安级测量、1000A脉冲大电流输...

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、纳安级电...

普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400...

普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下纳安级测量、1000A脉冲大电流输...