水银CV测量SEMILAB全自动汞CV测量MCV-2200
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水银 CV 测量 SEMILAB全自动汞 CV 测量 MCV-2200
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产品介绍
CV测量装置 Mercury probe MCV 是一种可以评估半导体硅晶片和化合物半导体 SiC 的电气特性以及 MOS 器件的氧化膜特性的装置。在一般的 CV 测量设备中， poly-Si 、 Al 等被气相沉积在晶圆上作为栅电极，形成 MOS 和肖特基结构后评估 CV/IV 特性。可以很容易地检查 , 而不需要MCV 自动映射系统对用于外延硅制造和半导体前端处理的未图案化晶圆执行汞 CV 测量。
在 MCV-2200 和 MCV-2500 中，晶圆被机器人从盒式磁带或开放式 FOUP 装载到映射台上。在执行电气特性测试时，测试晶圆被移动到预编程地图上的每个位置。测试数据以各种格式存储和报告。
MCV-530 系统允许使用汞探针对介电层和外延层进行快速可靠的测试，使其成为研发和小批量生产等应用的理想选择。
MCV-530/530L 是手动加载设备，但具有与自动 MCV-2200/2500 产品相同的测量功能。
FCV-3000 高级植入计量系统可快速测量与电介质相关的电气参数，例如栅极氧化物和超浅植入物（例如源极 / 漏极）。 该方法在很宽的剂量范围内表现出出色的灵敏度。
FCV
系统使用小型弹性探针在电介质表面形成临时栅极。
内置模式识别系统检测划线测试区域。
弹性探头直径小于
30 µm
用于介电表征，大于
200 µm
用于表面电阻率测量，并且不会损坏介电表面。
除了弹性探针外，还有用于1针测量的硬金属探针和用于
2
针测量的硬金属探针对，以实现更精确的定位。
Cn-CV 300 SL 系统是先进的非接触式电气计量系统，将 Semilab SDI 的微观和宏观 Corona-Kelvin 方法集成在一个平台中，提供先进的它可以支持研究和开发以及苛刻的大批量生产环境。
Cn-CV 310/210 CV/IV 系统基于 Corona-Kelvin的 方法提供 Semilab SDI 高级 CV/IV 测量，用于监测晶圆上的介电和界面特性的非接触式成像。
Cn-CV 330/230 CV/IV 系统基于 Corona-Kelvin的 方法提供 Semilab SDI 高级 CV/IV 测量，用于监测晶圆上的介电和界面特性的非接触式成像。
Cn-CV 350 CV/IV 系统基于 Corona-Kelvin的 方法提供 Semilab SDI 高级 CV/IV 测量，用于介电和界面特性的非接触成像。
CV-1500 是用于高级界面和介电测量的低成本入门级平台（基于 Semilab SDI 的 Corona-Kelvin 方法）。手动加载和单点测量功能适用于研发和实验室环境。
自动寿命测量装置WT系列 :WT 系列是一个功能强大的独立测量平台，能够执行许多不同的半导体材料表征。 基本系统包括执行表征所需的所有间接功能，包括电源、计算机、操作软件和 XY 测量台。
