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仪表网 会议报道】2月1日，武汉市科技重大专项“大面阵小像元非制冷红外探测器关键技术”项目启动会，在武汉高德红外股份有限公司召开。武汉市科技局副局长胡军、东湖高新区管委会科创局副局长周星，高德红外董事长黄立、武汉大学物理科学与技术学院特聘副研究员程瑞清、高芯科技总经理高健飞、微智芯科技研发部经理宁骏等项目创新联合体单位代表出席会议。
项目由高德红外牵头，联合高芯科技、微智芯科技、武汉大学等单位组建创新联合体开展合作攻关，旨在填补国内这一技术领域的空白，从而在航空航天、智能家居、汽车电子、智能制造等重点应用领域实现红外芯片自主，推动武汉成为具有广泛国际影响力的非制冷红外探测器领域的科学中心、人才高地和产业重镇。
会上，武汉市科技局与高德红外签订项目任务书。各单位代表汇报项目实施方案，进行“大面阵小像元非制冷红外探测器关键技术”项目创新联合体签约。
武汉市科技局副局长胡军表示，光电子产业是武汉科技创新的支柱产业之一，需要有一系列核心关键技术、一批创新平台，来支撑科技创新建设。希望创新联合体能深度整合资源，协同攻关，更快更好推动项目，武汉市科技局将继续加大对领军企业的支持，共同助力武汉建设具有全国影响力的科技创新中心。
董事长黄立对市科技局、区科创局等相关部门的悉心指导和积极推动表达感谢，并表示，本重大专项的启动，有望切实转变非制冷红外探测器关键制造工艺受制于人的现状，抢占全球红外技术制高点。作为专项牵头单位，高德红外将与各联合单位通力合作，不断优化技术路线，稳步推进各项任务完成和总体目标实现，为推动武汉科技创新建设、助力高质量发展提供有力支撑。
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