SE-VE光谱椭偏仪

1)光谱范围：400-800nm

2)入射角：65°

3)光 斑大小： 200 μ m

4)调制技术： PC _R SA 调制技术

5)重复性测量精度：0.01nm（ 100nm 硅基 SiO2 样件， 30 次重复测量 ）

6)膜厚测量范围： 0.1nm — 20 μ m

7)单点测量时间：＜5s

8)光源：高性能进口卤素灯光源（卤素灯寿命： 2,000h ）

9) 可视化样品显微对准系统

2、 样品台规格：

1)基板尺寸：支持样件尺寸到Ф180mm

2) Z轴位移行程： 0-10mm

3) 样件台俯仰角度： > ±2°

3、 测控与分析软件

1)光谱测量能力：PSI/DELTA椭偏光谱、 N/C/S 光谱、反射率光谱测量

2)数据分析能力：具备单层、多层膜厚、光学常数（折射率、消光系数）分析能力

3) 支持常用光学常数模型以及常用振子模型（柯西模型、洛伦兹模型、高斯模型等），并支持图形化多振子混合模型拟合功能

4)支持多组分薄膜与体材料光学常数、组分比例分析功能； 核心算法包含严格耦合波模型、等效介质模型

      5）支持用户自定义，软件不限制拷贝数量，支持 windows10 操作系统